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： 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-040034-5:CNY58.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/.(美)Sandip Kundu，(印)Aswin Sreedhar著/.王昱阳，谢文遨译 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2014 |
| 载体形态项： | 11,261页:;+图:;+24cm |
| 相关题名附注： | 英文原名：Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability |
| 提要文摘： | 本书内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物理设计和可靠性；DFM工具和DFM方法等。 |
| 并列题名： | Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability eng |
| 题名主题： | 纳米材料 CMOS电路 超大规模集成电路 电路设计 教材 |
| 题名主题： | 纳米材料 |
| 题名主题： | CMOS电路 |
| 题名主题： | 超大规模集成电路 |
| 题名主题： | 电路设计 |
| 中图分类： | TN432.02 |
| 个人名称等同： | 坤社 (美) (Kundu, Sandip) 著 |
| 个人名称等同： | 斯里达尔 (印) (Sreedhar, Aswin) 著 |
| 个人名称次要： | 王昱阳 译 |
| 个人名称次要： | 谢文遨 译 |
| 记录来源： | CN 许昌职业技术学院图书馆 20150115 |